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傳統(tǒng)的互連技術(shù)，如球柵陣列、可控塌陷芯片連接等，已難以滿足微小節(jié)距的高密度芯片封裝的需求。
由于銅材料具有高熔點的特性，銅柱凸塊在回流工藝過程中不會塌陷，提高了芯片的互連密度及可靠性，可為集成電路封裝提供更多的I/O數(shù)，為芯片性能的提升提供更多的可能。

銅柱凸塊的電化學沉積過程有電流密度大、速度快的特點，必須加入電鍍添加劑來輔助生產(chǎn)，從而使銅柱凸塊達到銅面平整度和高度統(tǒng)一性的要求。

銅柱凸塊的平整度和高度統(tǒng)一性需要一定的測量手段來評定，KC系列激光光譜共聚焦顯微鏡無疑是最好的選擇。KC系列激光光譜共聚焦顯微鏡是一款適用于微米和亞微米級別測量的顯微鏡，可以完美還原單個或多個銅柱的表面形貌，并可以進行多個參數(shù)的測量。