PI光刻顯影是半導(dǎo)體制造和微電子技術(shù)中常用的一種技術(shù),它可以用于制造各種類型的電子器件,包括集成電路、傳感器和光電器件等。通過精確控制光刻和顯影過程,可以實(shí)現(xiàn)高精度的圖案轉(zhuǎn)移,制造出具有優(yōu)異性能的電子器件。
在PI光刻顯影過程中,首先將光刻膠涂覆在PI基底上,然后通過曝光,使用掩膜將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。曝光后,光刻膠會(huì)發(fā)生化學(xué)變化的區(qū)域,這些區(qū)域在隨后的顯影過程中會(huì)被溶解,從而在PI基底上形成圖案。這個(gè)過程可以用來制造具有特定圖案的PI基底,用于各種電子器件的制造。
寬測量是在光刻過程中或之后,對(duì)形成在PI基底上的電路圖案線寬進(jìn)行測量的過程。線寬是電路圖案中最小特征尺寸的度量,通常以微米(μm)或納米(nm)為單位。線寬的精確測量對(duì)于評(píng)估光刻工藝的質(zhì)量以及確保圖案轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)確性至關(guān)重要。
圖示為KS系列3D數(shù)碼顯微鏡拍攝的PI光刻顯影形貌,進(jìn)行線寬尺寸測量。